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我国研制成功相变存储器芯片

发布时间:2024-03-18 09:46:52 作者: 产品服务

  我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微体系与信息技能研究所研制成功,打破了存储器芯片出产技能长时间被国外独占的局势,产业化远景可观。

  据专家介绍,此款PCRAM芯片将可替代传统存储器,大范围的应用于手机存储、射频辨认等多种消费型电子科技类产品中。

  我国半导体存储器市场规模现在已挨近1800亿元,但由于长时间缺少具有自主知识产权的制作技能,国内存储器出产所带来的本钱极为昂扬。该款PCRAM相变存储器估计将于本年年内投入量产。